有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问:
（1）需要多少片DRAM芯片？
（2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？
（3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
（1）需要多少片DRAM芯片？
（2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？
（3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
（1）4*16=64片
（2）15.625us
（3）64us
（2）15.625us
（3）64us
举一反三
- 用16K × 1位的DRAM芯片构成64K × 8位的存储器。要求： （1）画出该存储器组成的逻辑框图。 （2）设存储器读 / 写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存贮单元刷新一遍，所需实际刷新时间是多少？
- 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
- 某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构，该芯片每隔2ms至少刷新一次，且刷新是通过顺序对所有128行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns。求进行刷新操作的时间所占的百分比。×
- 一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.lµs 1)若采用异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少？ 2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
- 有一个16KX16位的存储器，由1KX4位的DRAM芯片构成，则需要多少片芯片（） A: 16 B: 64 C: 32 D: 128
内容
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DRAM存储器的刷新一般有、和异步式刷新三种方式
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【单选题】需要定期刷新的半导体存储器为(),其刷新方式包括集中式刷新、()刷新及异步刷新。 A. SRAM，分散 B. DRAM，分散 C. SRAM，同步 D. DRAM,同步
- 2
设有一个具有12位地址和4位字长的存储器，问： （1）该存储器能存储多少字节信息？ （2）如果存储器由1K00d71位RAM芯片组成.需要多少片? （3）需要地址多少位作为芯片选择?
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DRAM存储器芯片的刷新是按（ ）进行的。 A: 行 B: 列 C: 存储单元 D: 存储元
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DRAM存储器的刷新一般有集中式、异步式三种方式，之所以刷新是因为