从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。
发射区掺杂浓度高，集电结面积大
举一反三
- 中国大学MOOC: 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。
- 中国大学MOOC: 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。
- 中国大学MOOC:从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施。
- 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
- 从提高三极管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，掺杂浓度很低外，工艺上还要采取如下措施中的（ ）。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
内容
- 0
为什么晶体管基区掺杂浓度低而且做得很薄？
- 1
14.5.4为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做得很薄？
- 2
晶体管的 _______ 区掺杂浓度小而且做得很薄。
- 3
中国大学MOOC: 晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
- 4
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。 A: 正确 B: 错误