从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。
A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大
B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小
C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大
B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小
C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
举一反三
- 从提高三极管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，掺杂浓度很低外，工艺上还要采取如下措施中的（ ）。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
- 三极管放大的内部条件是：发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低集电结面积大；外部条件是 和 。
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。