某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17

2022-06-27

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（）。
A: 1.179×10-17
B: 1.643×10-17
C: 2.699×10-17
D: 4.435×10-17

答案：

B

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假定某数采用IEEE 754单精度浮点数格式表示为C820 0000H,则该数的值是( )。 A: (-1.01)10×2^17 B: (-1.01)10×2^144 C: (-1.25)10×2^17 D: (-1.25)10×2^144
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粘性土按塑性指数大小可分为粘土和粉质粘土，粘土的塑性指数范围是（）。 A: Ip>10 B: 17≥Ip>10 C: 17>Ip≥10 D: Ip>17
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10$，17°, 64GB, 100%
3
在 Zn(OH)2饱和溶液中，c(OH- )=4.0×10-6 mol·dm-3，则其溶度积 Ks 为（）。 A: 1.6×10-11 B: 3.2×10-17 C: 8.0×10-6 D: 6.4×10-17
4
根据下图,分析检查电动座椅前垂直开关向“DOWN”时,应该导通的端子是()。 A: 9、12；11、17 B: 10、11；12、17 C: 9、11；12、17 D: 10、12；11、17

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（ ）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17