在fcc结构的铝单晶体中，对于全位错a [10-1] /2，正确的是（ ）。
A: 当层错能不高时，全位错可以分解为两个不全位错夹层错的扩展位错
B: 当层错能不高时，全位错不能分解为两个不全位错夹层错的扩展位错
C: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成 a [2-1-1]/6+a [11-2]/6
D: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成a [10-1]/3+a [10-1]/6
A: 当层错能不高时，全位错可以分解为两个不全位错夹层错的扩展位错
B: 当层错能不高时，全位错不能分解为两个不全位错夹层错的扩展位错
C: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成 a [2-1-1]/6+a [11-2]/6
D: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成a [10-1]/3+a [10-1]/6
举一反三
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为a［-110］／4+a［-111］/4 B: a［-110］／2 分解为a［-110］／6+a［-111］/6 C: a［-110］／2 分解为a［-211］/6+a［-12-1］/6 D: a［-110］／2 分解为a［-110］／3+a［-111］/3
- 某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，依据位错反应的几何条件和能量条件，该全位错的分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为：a［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为：a［-110］／4+a［-111］/4 C: a［-110］／2 分解为：a［-110］／3+a［-111］/3 D: a［-110］／2 分解为：a［-110］／6+a［-111］/6
- fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
- 一个单位位错分解为两个不全位错，中间夹住一片层错的组态是（ ）。 A: 扩展层错 B: 不全位错 C: 单位位错 D: 扩展位错
- fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生位错反应，位错反应新形成位错的位置为（ ），该新反应得到的位错柏氏矢量为（ ）。 A: A:[110],a[110]/6； B: B:[-110],a[110]/6； C: C.[111],a[111]/3； D: D [111],a[110]/6。