某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,该全位错分解反应为( )。A: a[-110]/2分解为[-211]/6+a[-12-1]/6; B: a[-110]/2 分解为[-110]/4+a[-111]/4。 A: A: a[-110]/2分解为[-211]/6+a[-12-1]/6; B: B: a[-110]/2 分解为[-110]/4+a[-111]/4 C: C: a[-110]/2 分解为[-110]/3+a[-111]/3 D: D. a[-110]/2 分解为[-110]/6+a[-111]/6
某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,该全位错分解反应为( )。A: a[-110]/2分解为[-211]/6+a[-12-1]/6; B: a[-110]/2 分解为[-110]/4+a[-111]/4。 A: A: a[-110]/2分解为[-211]/6+a[-12-1]/6; B: B: a[-110]/2 分解为[-110]/4+a[-111]/4 C: C: a[-110]/2 分解为[-110]/3+a[-111]/3 D: D. a[-110]/2 分解为[-110]/6+a[-111]/6
在电子表格中,单元格(C3)中的公式(=A4+$A$5+A$6),把此公式复制到单元格(E4)中,公式会发生改变,其结果是() A: =A4+$A$5+A$6 B: =C5+$A$5+C$6 C: =A4+$C$6+A$7 D: =C4+$C$5+C$6
在电子表格中,单元格(C3)中的公式(=A4+$A$5+A$6),把此公式复制到单元格(E4)中,公式会发生改变,其结果是() A: =A4+$A$5+A$6 B: =C5+$A$5+C$6 C: =A4+$C$6+A$7 D: =C4+$C$5+C$6
某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,该全位错分解反应为( )。 A: a[-110]/2 分解为a[-110]/4+a[-111]/4 B: a[-110]/2 分解为a[-110]/6+a[-111]/6 C: a[-110]/2 分解为a[-211]/6+a[-12-1]/6 D: a[-110]/2 分解为a[-110]/3+a[-111]/3
某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,该全位错分解反应为( )。 A: a[-110]/2 分解为a[-110]/4+a[-111]/4 B: a[-110]/2 分解为a[-110]/6+a[-111]/6 C: a[-110]/2 分解为a[-211]/6+a[-12-1]/6 D: a[-110]/2 分解为a[-110]/3+a[-111]/3
某fcc晶体中(点阵常数a=0.354nm),刃位错b=a[-110]/2 在(111)面上分解形成Shockley不全位错,则成立的有( )。 A: 反应式为a[-110]/2-a[-12-1]/3+a[-211]/3 B: 反应式为a[-110]/2-a[-122]/6+a[-21-2]/6 C: 反应式为a[-110]/2-a[-12-1]/6+a[-211]/6 D: 反应式为a[-110]/2-a[-11-1]/4+a[-110]/4
某fcc晶体中(点阵常数a=0.354nm),刃位错b=a[-110]/2 在(111)面上分解形成Shockley不全位错,则成立的有( )。 A: 反应式为a[-110]/2-a[-12-1]/3+a[-211]/3 B: 反应式为a[-110]/2-a[-122]/6+a[-21-2]/6 C: 反应式为a[-110]/2-a[-12-1]/6+a[-211]/6 D: 反应式为a[-110]/2-a[-11-1]/4+a[-110]/4
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2;此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2;此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,依据位错反应的几何条件和能量条件,该全位错的分解反应为( )。 A: a[-110]/2 分解为:a[-211]/6+a[-12-1]/6; B: a[-110]/2 分解为:a[-110]/4+a[-111]/4 C: a[-110]/2 分解为:a[-110]/3+a[-111]/3 D: a[-110]/2 分解为:a[-110]/6+a[-111]/6
某fcc晶体中,点阵常数为a=0.354nm,刃位错b=a[-110]/2在(111)面上分解形成肖克莱(shockley)不全位错,依据位错反应的几何条件和能量条件,该全位错的分解反应为( )。 A: a[-110]/2 分解为:a[-211]/6+a[-12-1]/6; B: a[-110]/2 分解为:a[-110]/4+a[-111]/4 C: a[-110]/2 分解为:a[-110]/3+a[-111]/3 D: a[-110]/2 分解为:a[-110]/6+a[-111]/6
将平面直角坐标系旋转[tex=0.857x2.143]tnrjvcggJOaZH/6AD919yA==[/tex],求点[tex=3.214x1.357]6+a/tDjEesfmc3ZeU03Gew==[/tex]在新坐标系中的坐标.
将平面直角坐标系旋转[tex=0.857x2.143]tnrjvcggJOaZH/6AD919yA==[/tex],求点[tex=3.214x1.357]6+a/tDjEesfmc3ZeU03Gew==[/tex]在新坐标系中的坐标.
在fcc结构的铝单晶体中,对于全位错a [10-1] /2,正确的是( )。 A: 当层错能不高时,全位错可以分解为两个不全位错夹层错的扩展位错 B: 当层错能不高时,全位错不能分解为两个不全位错夹层错的扩展位错 C: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成 a [2-1-1]/6+a [11-2]/6 D: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成a [10-1]/3+a [10-1]/6
在fcc结构的铝单晶体中,对于全位错a [10-1] /2,正确的是( )。 A: 当层错能不高时,全位错可以分解为两个不全位错夹层错的扩展位错 B: 当层错能不高时,全位错不能分解为两个不全位错夹层错的扩展位错 C: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成 a [2-1-1]/6+a [11-2]/6 D: 全位错的分解反应为a[10-1]/2形成a [10-1]/3+a [10-1]/6
鼠疫、霍乱、黄热病的潜伏期分别为()天。 A: 6、6、5 B: 5、6、6 C: 6、5、6 D: 6、6、6
鼠疫、霍乱、黄热病的潜伏期分别为()天。 A: 6、6、5 B: 5、6、6 C: 6、5、6 D: 6、6、6
【单选题】根据数字规律填一填 6 7 6 6 7 6 6 7 6 6 ___ A. 6 B. 7 C. 8
【单选题】根据数字规律填一填 6 7 6 6 7 6 6 7 6 6 ___ A. 6 B. 7 C. 8