材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]17de924466ed022.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]17de92447391b93.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。
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D: 二者没有关系
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A
举一反三
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18033b1fd7999df.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18033b1fe08f0ed.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb<<Vp D: 二者没有关系
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系
- 有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？ A: 气孔能够抑制晶粒生长。 B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部 C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。 D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
- 晶粒生长是晶界移动的结果，晶界移动的方向是（）。
内容
- 0
在材料的烧结过程中，二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶粒消耗时的异常长大过程。这种二次再结晶属于 A: 吞并周围小晶粒而迅速长大 B: 平均晶粒尺寸的长大 C: 晶界移动的结果 D: 晶粒的正常生长
- 1
烧结中后期，晶界移动的结果，使得 。 A: 大于六条边的晶粒长大 B: 小于六条边的晶粒长大 C: 所有晶粒平均长大 D: 晶粒相互粘结而长大
- 2
在材料的烧结过程中，到烧结的中后期晶粒要逐渐长大，这种晶粒生长过程是平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续长大的过程。这种晶粒长大属于______。 A: 小晶粒的相互兼并的结果 B: 所有的晶粒尺寸都增长 C: 晶界移动的结果 D: 其他
- 3
晶粒长大时晶界移动的驱动力通常来自（ ）的降低。
- 4
在烧结中、后期的晶粒生长过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。 A: 曲率中心 B: 曲率中心相反 C: 曲率中心垂直 D: 任意