材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]17de924466ed022.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]17de92447391b93.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。
A: Vb=Vp
B: Vb>;>;Vp
C: Vb<;<;Vp
D: 二者没有关系
A: Vb=Vp
B: Vb>;>;Vp
C: Vb<;<;Vp
D: 二者没有关系
举一反三
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18033b1fd7999df.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18033b1fe08f0ed.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb<<Vp D: 二者没有关系
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系
- 有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？ A: 气孔能够抑制晶粒生长。 B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部 C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。 D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
- 晶粒生长是晶界移动的结果，晶界移动的方向是（）。