层错能越大，扩展位错窄，两分位错容易束集成全位错，可动性好，易于交滑移、攀移等，易于形成亚晶。
举一反三
- 层错能越大，扩展位错窄，两分位错容易束集成全位错，可动性好，易于交滑移、攀移等，易于形成亚晶。 A: 正确 B: 错误
- 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（） A: 螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移 B: 刃位错只作滑移，螺位错只作攀移 C: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移 D: 螺位错只作攀移，刃位错也只作攀移
- 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（ ）。 A: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移 B: 刃位错既可滑移又可攀移 C: 螺位错只作滑移 D: 螺位错既可滑移又可攀移
- fcc晶体中，层错能的越高，扩展位错的宽度越小，扩展位错容易发生束集，位错越容易发生交滑移。
- 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中刃位错只作滑移，螺位错只作攀移。（ ）