CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
举一反三
- 过敏试验液注入皮下的剂量为
- 离子注入的过程中,在同样的硅片面积下,注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大小,束流越大、注入时间越长,达到的剂量越大。( )
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 注入离子越轻,临界剂量越小; B: 靶温升高,临界剂量上升; C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高,临界剂量上升; B: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子越轻,临界剂量越小;
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高,临界剂量上升; B: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子越轻,临界剂量越小;