离子注入的过程中,在同样的硅片面积下,注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大小,束流越大、注入时间越长,达到的剂量越大。( )
对
举一反三
- 186.离子注入的过程中，在同样的硅片面积下，注入的束流大小与注入时间直接决定剂量的大[br][/br]小，束流越大、注入时间越长，达到的剂量越大。
- 离子注入机根据能量和束流大小可以分为: A: 高能注入机 B: 低能注入机 C: 大束流注入机 D: 中束流注入机
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。
- 由于注入的束流尺寸比较小,一般小于晶圆尺寸,因此注入时需要离子注入系统中的: A: 束流聚焦系统 B: 吸极 C: 磁分析器 D: 束流扫描
内容
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
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能够挑选出唯一需要注入的离子,属于离子注入系统中的: A: 离子源 B: 吸极 C: 磁分析器 D: 中性束流陷阱
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离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )