CMP工艺的三大关键因素是()。
A: 抛光机
B: 抛光液
C: 抛光盘
D: 抛光垫
A: 抛光机
B: 抛光液
C: 抛光盘
D: 抛光垫
A,B,D
举一反三
内容
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CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。 A: 正确 B: 错误
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影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
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中国大学MOOC: CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。
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采用抛光机进行抛光属于（ ）。 A: 研磨抛光 B: 机械抛光 C: 电解抛光 D: 化学抛光
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CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度