关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 CMP工艺的三大关键因素是()。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光盘 D: 抛光垫 CMP工艺的三大关键因素是()。A: 抛光机B: 抛光液C: 抛光盘D: 抛光垫 答案： 查看 举一反三 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备 以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光液的粘度、PH值 B: 抛光区域的温度 C: 抛光的压力 D: 抛光垫的表面粗糙度 CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。 CMP技术的关键要素包括: A: 抛光头(磨头) B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 清洗设备 CMP的设备构成包括（ ）。 A: 抛光垫 B: 夹持设备 C: 台板 D: 抛光液
