关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-02 当光子能量hγ大于组成pn半导体的 （文字表达）时，才能激发出电子空穴对 当光子能量hγ大于组成pn半导体的 （文字表达）时，才能激发出电子空穴对 答案： 查看 举一反三 当光照射在PN结时，如果光子能量小于半导体禁带宽度（E0 < Eg）,可激发出电子——空穴对。（ ） 入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。 当光照射到半导体上时，半导体材料将吸收光子能量产生电子空穴对。产生在PN结有效扩散长度内的电子空穴对将被内建电场分离，电子被拉向P区一侧，空穴被推向N区一侧，进而产生光生电势差。 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 中国大学MOOC: 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
