入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。
举一反三
- 当光照射在PN结时，如果光子能量小于半导体禁带宽度（E0 < Eg）,可激发出电子——空穴对。（ ）
- 关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
- 关于本征吸收，以下说法正确的是？ A: 是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对 B: 产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度 C: 是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量 D: 产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
- 当光子能量hγ大于组成pn半导体的 （文字表达）时，才能激发出电子空穴对
- 若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg