关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 雪崩击穿发生的条件是（）。 A: 掺杂浓度高 B: 掺杂浓度低 C: 耗尽层宽 D: 电压高 雪崩击穿发生的条件是（）。A: 掺杂浓度高B: 掺杂浓度低C: 耗尽层宽D: 电压高 答案： 查看 举一反三 单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。 单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。 PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
