晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
A: 高；低
B: 高；高
C: 低；低
D: 低；高
A: 高；低
B: 高；高
C: 低；低
D: 低；高
举一反三
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
- 从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（）。 A: 发射区低掺杂 B: 发射区高掺杂 C: 基区很薄，且掺杂浓度较低 D: 基区较厚，且高掺杂
- 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
- 从提高三极管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，掺杂浓度很低外，工艺上还要采取如下措施中的（ ）。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大