一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
举一反三
- 一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.lµs 1)若采用异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少？ 2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
- 以下为某动态RAM的的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为 A: 集中刷新 B: 分散刷新 C: 上图不是刷新时间分布图 D: 异步刷新
- 动态随机存储器分散刷新的存取周期是集中刷新的2倍。
- 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问: （1）需要多少片DRAM芯片？ （2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
- 动态存储器的刷新方式主要有集中刷新、_____ 刷新和 _____ 刷新。