还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）
还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）
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还原性气氛生成 n型半导体，以下缺陷反应生成阳离子填隙(Ma+yXb)型非化学计量化合物ZnO(s)=Zni +e’+1/2O2(g) （ ）