平衡态的肖特基势垒二极管半导体势垒区势垒的高度由什么因素决定?(
)
A: 金属功函数大小
B: 半导体亲合能大小
C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置
D: 金属功函数和半导体亲和能之差
)
A: 金属功函数大小
B: 半导体亲合能大小
C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置
D: 金属功函数和半导体亲和能之差
C
举一反三
- 理想肖特基势垒二极管的肖特基势垒大小由什么因素决定?(<br/>) A: 金属功函数大小 B: 半导体亲合能大小 C: 半导体费米能级相对于金属费米能级的位置 D: 金属功函数和半导体亲和能之差
- 半导体导带底至真空能级差异成为半导体的（） A: 功函数 B: 电子亲和能 C: 静电能 D: 势垒能
- 半导体的导带底至真空能级之间的能级差异称为半导体的（）。 A: 功函数 B: 电子亲和能 C: 势垒能 D: 自由能
- 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SBD，简称为肖特基二极管。
- 如果金属的功函数大于N型半导体的功函数，那么金属和N型半导体接触的时候，半导体表面带______ 电荷，半导体表面的电场方向为______ ，半导体表面和内部的电势差______ ，半导体表面的电子能量______ 体内，能带向______ 弯曲，形成表面势垒，这个表面势垒的作用时阻挡半导体中的多子载流子向金属转移，称为______ 。
内容
- 0
通常情况下，金属的功函数较大，则形成的肖特基势垒（）。 A: 大 B: 小 C: 不确定 D: 与半导体的功函数也有关系
- 1
关于外加电压对接触势垒的影响，以下说法正确的是？ A: 外加正偏压时，半导体一侧势垒降低 B: 外加反偏压时，半导体一侧势垒增高 C: 外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变 D: 外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变 E: 外加正偏压时，半导体一侧势垒增高 F: 外加反偏压时，半导体一侧势垒降低
- 2
真空能级和半导体的费米能级之差定义为电子亲和势。 A: 正确 B: 错误
- 3
表面态对金半接触势垒的影响有() A: 半导体内能带弯曲的程度对金属功函数不敏感 B: 势垒高度与金属功函数基本无关,大小等于(2Eg/3) C: 即使Wm D: 不用考虑金属的功函数大小
- 4
中国大学MOOC: 真空能级和半导体的费米能级之差定义为电子亲和势。