关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-27 IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管 IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有A: 集电极电流过大（静态擎住效应）B: dUCE/dt过大（动态擎住效应）C: 温度升高D: 内部存在寄生晶闸管 答案： 查看 举一反三 IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。 引起IGBT擎住效应的因素有 A: 集电极电流过大 B: 过大 C: 温度升高 D: 驱动电流过大 什么是IGBT的擎住效应？产生擎住效应的原因有哪些？如何消除擎住效应？ IGBT集电极电流过大或[img=34x35]17e4360b844dbcd.jpg[/img]过大，都会加重发生擎住效应的危险。 简述IGBT擎住效应,如何防止擎住?
