关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-27 引起IGBT擎住效应的因素有 A: 集电极电流过大 B: 过大 C: 温度升高 D: 驱动电流过大 引起IGBT擎住效应的因素有A: 集电极电流过大B: 过大C: 温度升高D: 驱动电流过大 答案： 查看 举一反三 IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管 IGBT集电极电流过大或[img=34x35]17e4360b844dbcd.jpg[/img]过大，都会加重发生擎住效应的危险。 IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。 引起IGBT擎住效应的因素有 IGBT栅极失去对集电极电流的控制作用,电流失控,这种现象称为( )。 A: 擎住效应 B: 热击穿 C: 发热效应 D: 二次击穿
