引发IGBT擎住效应的原因
集电极电流过大;dUCE/dt过大;温度升高。
举一反三
内容
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IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
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引起IGBT擎住效应的因素有
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IGBT具有擎住效应。 A: 正确 B: 错误
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存在擎住效应的器件是（ ）。 A: PMOSFET B: SCR C: IGBT
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IGBT在何种情况下会出现擎住效应？使用中如何避免出现该效应？