宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
大于等于3.0eV
举一反三
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ） A: 对 B: 错
- 一般把禁带宽度大于或等于（）的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。 A: 1eV B: 0.5eV C: 2.3eV D: 5eV
内容
- 0
什么是宽禁带半导体材料?主要的宽禁带半导体材料以及在探测器方面的主要应用有哪些?
- 1
半导体的禁带宽度（）绝缘体的禁带宽度。
- 2
半导体的禁带与导体的禁带相比,的禁带大。
- 3
绝缘体的禁带宽度大于半导体的禁带宽度。
- 4
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的是( )等材料。 A: 碳化硅（SiC） B: 氮化镓（GaN） C: 金刚石 D: 硅