关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-31 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 有关新型半导体器件，表述正确的是：A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 答案： 查看 举一反三 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。 宽禁带半导体材料的禁带宽度是( ) 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ） A: 对 B: 错 通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。
