宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ）
A: 对
B: 错
A: 对
B: 错
举一反三
- 宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的是( )等材料。 A: 碳化硅（SiC） B: 氮化镓（GaN） C: 金刚石 D: 硅
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。