宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ）
A: 对
B: 错
A: 对
B: 错
B
举一反三
- 宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的是( )等材料。 A: 碳化硅（SiC） B: 氮化镓（GaN） C: 金刚石 D: 硅
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
内容
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从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。 A: 对 B: 错
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什么是宽禁带半导体材料?主要的宽禁带半导体材料以及在探测器方面的主要应用有哪些?
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一般把禁带宽度大于或等于（）的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。 A: 1eV B: 0.5eV C: 2.3eV D: 5eV
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半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
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半导体的禁带与导体的禁带相比,的禁带大。