下面有关载流子迁移率的说法，正确的是（ ）
A: 受到散射中心导致的库仑力影响
B: 温度越高迁移率越高
C: 同一块半导体材料中所有载流子的迁移率一致
D: 受到半导体晶格的周期性结构影响
A: 受到散射中心导致的库仑力影响
B: 温度越高迁移率越高
C: 同一块半导体材料中所有载流子的迁移率一致
D: 受到半导体晶格的周期性结构影响
举一反三
- 同样的载流子浓度，载流子的迁移率越大，半导体的导电率（ ）。 A: 越高 B: 越低 C: 不变 D: 以上都不对
- 半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
- 半导体的掺杂浓度越高 A: 载流子的迁移率越高 B: 费米能级越靠近导带 C: 半导体的电导率越高 D: 载流子的扩散速度越大
- 决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。 A: 禁带宽度 B: 载流子有效质量 C: 复合率 D: 温度 E: 平均自由时间 F: 载流子浓度