由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为的势垒
错
举一反三
- 在平衡pn结势垒区中，下列说法错误的是 A: 费米能级处处相等 B: 由p区到n区电势逐渐增加 C: 由p区到n区电势能逐渐增加 D: 由p区到n区电子浓度逐渐增加
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- 不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？ A: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。 B: △Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。 C: △Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。 D: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
内容
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对于平衡pn结势垒区，下列说法错误的是 A: 由p区到n区电势增加 B: 由p区到n区电势能增加 C: 室温时载流子浓度很小 D: 室温时势垒区的空间电荷密度近似等于电离杂质浓度
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pn结势垒电容可以等效为一个极间距等于势垒区宽度的平板电容器。（ ）
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PN结的内建电场方向是从P区到N区。()
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PN结的内建电场的方向是（）？ A: 从N区到P区方向； B: 从P区到N区方向； C: 电子移动的方向； D: 空穴运动的方向；
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PN结中扩散电流的方向是： 从P区到N区 ，漂移电流的方向是 从N区到P区