不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是？
A: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。
B: △Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。
C: △Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。
D: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
A: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。
B: △Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。
C: △Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。
D: △Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
举一反三
- 在P-N结的内静电场作用下，N区的空穴向P区运动，而P区的电子向N区运动。（ ）
- 在足够能量的太阳光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动。(<br/>)
- 平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
- 半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ） A: N区的电子向P区扩散 B: N区的空穴向P区扩散 C: P区的电子向N区扩散 D: P区的空穴向N区扩散
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。