如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba0,此半导体类型是 型。（填：“N”或“P”）[img=168x150]18032f37a2473ee.png[/img]
举一反三
- 中国大学MOOC: 如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba<0,此半导体类型是 型。（填：“N”或“P”）【图片】
- 载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍耳效应可以测量载流子的浓度和类型。如图11-23(a)所示的一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面，样品中通过的电流为I,现测得霍耳电压为[tex=1.286x1.214]llattYY7MJB4p/QYj7Vfqw==[/tex]。证明样品载流子浓度为[tex=4.071x2.571]GNn9JcOuqGmLJTGf4tmkUuZTqU1dt7rtNmh53s9UEFQ=[/tex][img=974x364]17a3e10e6accb53.png[/img]
- 关于霍耳效应，以下说法正确的是？ A: 室温时，n型半导体的霍耳系数为负 B: 室温时，p型半导体的霍耳系数为正 C: n型半导体的霍耳角为负 D: p型半导体的霍耳角为正 E: 室温时，n型半导体的霍耳系数为正 F: 室温时，p型半导体的霍耳系数为负
- 磁场测量实验中，霍尔效应发生的条件是（） A: 半导体放在磁场中 B: 通电半导体放入磁场中 C: 金属导体放在磁场中 D: 通电金属导体放在磁场中
- 关于霍耳效应，以下说法正确的是？ A: 室温时，n型半导体的霍耳系数为负 B: 室温时，p型半导体的霍耳系数为正 C: n型半导体的霍耳角为负 D: p型半导体的霍耳角为正 E: 室温时，n型半导体的霍耳系数为正 F: 室温时，p型半导体的霍尔系数为负