中国大学MOOC: 如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba<0,此半导体类型是 型。（填：“N”或“P”）【图片】
举一反三
- 如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba0,此半导体类型是 型。（填：“N”或“P”）[img=168x150]18032f37a2473ee.png[/img]
- 中国大学MOOC: 把一块P型半导体放在z方向的磁场中，半导体沿正x方向通有电流，则霍耳电场的方向指向？
- 中国大学MOOC: 把一块n型半导体放在z方向的磁场中，半导体沿正x方向通有电流，则霍耳电场的方向指向？
- 中国大学MOOC: 如图所示，将P型半导体（载流子为正电荷）通以电流I，并处在均匀磁场B中，于是在P型半导体的上表面出现【图片】
- 载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍耳效应可以测量载流子的浓度和类型。如图11-23(a)所示的一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面，样品中通过的电流为I,现测得霍耳电压为[tex=1.286x1.214]llattYY7MJB4p/QYj7Vfqw==[/tex]。证明样品载流子浓度为[tex=4.071x2.571]GNn9JcOuqGmLJTGf4tmkUuZTqU1dt7rtNmh53s9UEFQ=[/tex][img=974x364]17a3e10e6accb53.png[/img]