载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍耳效应可以测量载流子的浓度和类型。如图11-23(a)所示的一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面,样品中通过的电流为I,现测得霍耳电压为[tex=1.286x1.214]llattYY7MJB4p/QYj7Vfqw==[/tex]。证明样品载流子浓度为[tex=4.071x2.571]GNn9JcOuqGmLJTGf4tmkUuZTqU1dt7rtNmh53s9UEFQ=[/tex][img=974x364]17a3e10e6accb53.png[/img]
举一反三
- ()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而P型半导体中()浓度高于电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。
- 如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba0,此半导体类型是 型。(填:“N”或“P”)[img=168x150]18032f37a2473ee.png[/img]
- N 型半导体少数载流子空穴的浓度_ ________ 本征半导体载流子空穴的浓度
- 半导体中载流子有____和____,在本征导体中掺入少量五价元素,将形成____型半导体,P型半导体中多数载流子是____。
- 中国大学MOOC: 如图,一半导体样品通过的电流强度为I,放在均匀磁场中,实验测的霍耳电压Uba<0,此半导体类型是 型。(填:“N”或“P”)【图片】