• 2022-07-01
    载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍耳效应可以测量载流子的浓度和类型。如图11-23(a)所示的一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面,样品中通过的电流为I,现测得霍耳电压为[tex=1.286x1.214]llattYY7MJB4p/QYj7Vfqw==[/tex]。证明样品载流子浓度为[tex=4.071x2.571]GNn9JcOuqGmLJTGf4tmkUuZTqU1dt7rtNmh53s9UEFQ=[/tex][img=974x364]17a3e10e6accb53.png[/img]