关于外加电压对接触势垒的影响，以下说法正确的是？
A: 外加正偏压时，半导体一侧势垒降低
B: 外加反偏压时，半导体一侧势垒增高
C: 外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变
D: 外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变
E: 外加正偏压时，半导体一侧势垒增高
F: 外加反偏压时，半导体一侧势垒降低
A: 外加正偏压时，半导体一侧势垒降低
B: 外加反偏压时，半导体一侧势垒增高
C: 外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变
D: 外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变
E: 外加正偏压时，半导体一侧势垒增高
F: 外加反偏压时，半导体一侧势垒降低
举一反三
- pn结外加正向偏压时,以下关于势垒区的说法正确的有() A: 势垒区宽度变窄; B: 势垒区宽度变宽; C: 势垒高度变小; D: 势垒高度增大;
- 以下关于PN结电容说法正确的是 A: 正向偏压增大时，势垒电容减小； B: 正向偏压增大时，扩散电容减小； C: 反向偏压增大时，势垒电容减小； D: 势垒电容是一种固定电容。
- 以下关于PN结电容说法正确的是 A: 反向偏压增大时，势垒电容减小； B: 正向偏压增大时，势垒电容减小； C: 正向偏压增大时，扩散电容减小； D: D. 势垒电容是一种固定电容。
- 当n型阻挡层外加正电压时，半导体一边的势垒会（ ）。 A: 升高 B: 不变 C: 降低 D: 先升高再降低
- 当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。