N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,沟道电阻( )。
A: 不一定
B: 不变
C: 变小
D: 变大
A: 不一定
B: 不变
C: 变小
D: 变大
举一反三
- N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,( )。 A: PN 结越宽 B: 沟道越窄 C: 沟道电阻变大 D: 电流 ID 就越小 E: 沟道越宽
- N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。