N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
举一反三
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
- 中国大学MOOC: 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。