关于本征跃迁，以下说法正确的是？
A: 本征跃迁是本征吸收的逆过程
B: 对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C: 直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D: 对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E: 间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F: 间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A: 本征跃迁是本征吸收的逆过程
B: 对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C: 直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D: 对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E: 间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F: 间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
A,A,A,A,A,A,B,C,D,E,F
举一反三
- 关于本征吸收中的直接跃迁和间接跃迁，以下说法正确的是？ A: 电子吸收能量从价带跃迁入导带产生光吸收时，必须遵守能量守恒和动量守恒 B: 把遵守选择定则的跃迁称为直接跃迁（或竖直跃迁） C: 把不遵守选择定则的跃迁称为间接跃迁（或非竖直跃迁） D: 直接跃迁只有电子和光子参与，没有声子参与 E: 间接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程 F: 选择定则是[img=4287x1280]18034165a83e07b.png[/img] G: 选择定则是[img=96x53]18034165b155677.png[/img] H: 直接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程 I: 间接跃迁只有电子和光子参与，没有声子参与
- 关于本征吸收中的直接跃迁和间接跃迁,以下说法正确的是? A: 直接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程 B: 电子吸收能量从价带跃迁入导带产生光吸收时，必须遵守能量守恒和动量守恒 C: 间接跃迁是电子、光子和声子三者同时参与的过程 D: 把遵守选择定则的跃迁称为直接跃迁（或竖直跃迁）
- 中国大学MOOC: 关于本征吸收中的直接跃迁和间接跃迁，以下说法正确的是？
- 关于辐射跃迁,以下说法正确的是? A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程 B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁 C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势 D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
- 发光二极管所用的半导体材料是什么跃迁类型的 A: 间接跃迁 B: 既可以是直接跃迁，又可以是电子跃迁 C: 直接跃迁 D: 无跃迁
内容
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关于半导体直接跃迁和间接跃迁说法错误的是 A: 跃迁种类是半导体的固有性质 B: Ⅳ主族的元素半导体都是间接跃迁半导体 C: Ⅲ-Ⅴ族形成的二元化合物半导体都是直接带隙半导体 D: 跃迁种类不同，吸光系数和半导体禁带宽度间的关系不同
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半导体对光的吸收过程中，直接跃迁比间接跃迁所需能量要低。
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半导体对光的吸收过程中，直接跃迁比间接跃迁所需能量要低。 A: 正确 B: 错误
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直接跃迁和间接跃迁哪种发光效率高 A: 无法确定 B: 二者一样高 C: 间接跃迁 D: 直接跃迁
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辐射复合过程中，直接跃迁的发光效率比间接跃迁要高得多。