关于辐射跃迁,以下说法正确的是?
A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
举一反三
- 关于本征跃迁，以下说法正确的是？ A: 本征跃迁是本征吸收的逆过程 B: 对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁 C: 直接跃迁过程中只有光子和电子参与 D: 对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁 E: 间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与 F: 间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
- 电子跃迁可分为辐射跃迁和非辐射跃迁
- 电子跃迁过程中,当能级间距很小时,电子跃迁通过辐射跃迁发射声子,此时不发光。
- 发光二极管所用的半导体材料是什么跃迁类型的 A: 间接跃迁 B: 既可以是直接跃迁，又可以是电子跃迁 C: 直接跃迁 D: 无跃迁
- 关于半导体直接跃迁和间接跃迁说法错误的是 A: 跃迁种类是半导体的固有性质 B: Ⅳ主族的元素半导体都是间接跃迁半导体 C: Ⅲ-Ⅴ族形成的二元化合物半导体都是直接带隙半导体 D: 跃迁种类不同，吸光系数和半导体禁带宽度间的关系不同