关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有
A: 电子会顺着浓度差方向扩散
B: 空穴会顺着浓度差方向扩散
C: 电子会顺着电场方向漂移
D: 空穴会顺着电场方向漂移
A: 电子会顺着浓度差方向扩散
B: 空穴会顺着浓度差方向扩散
C: 电子会顺着电场方向漂移
D: 空穴会顺着电场方向漂移
举一反三
- 关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有 A: 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散 B: 空穴会在电场作用下沿电场方向漂移 C: 电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散 D: 电子会在电场作用下沿电场方向漂移
- 关于漂移电流密度的描述不正确的是（ ） A: 总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度之和 B: 空穴漂移电流方向与电场方向相同 C: 电子漂移电流方向与电场方向相反 D: 总漂移电流密度绝对值小于电子漂移电流密度或空穴漂移电流密度的绝对值
- 一块均匀的半导体两端加以电压，在半导体内部形成电场，则和电场方向不一致的是 A: 电子漂移运动方向 B: 电子电流方向 C: 空穴漂移运动方向 D: 空穴电流方向
- PN结外加正向电压时，正确的说法是（ ）。 A: N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动 B: N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动 C: P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动 D: P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动
- 在外电场作用下，本证半导体中带正电的空穴将顺着电场方向做定向运动，形成空穴电流