下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？
A: 电离杂质散射
B: 晶格振动散射
C: 光学波散射
D: 谷间散射
E: 位错散射
A: 电离杂质散射
B: 晶格振动散射
C: 光学波散射
D: 谷间散射
E: 位错散射
A,B
举一反三
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
- 在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
内容
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、 （）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ） A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 电子间散射
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在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ） A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
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最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。