Si、Ge元素半导体的主要散射机构为:
A: 电离杂质散射
B: 谷间散射
C: 位错散射
D: 声学波散射
A: 电离杂质散射
B: 谷间散射
C: 位错散射
D: 声学波散射
A,A,D
举一反三
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、 （）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
内容
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
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Si、Ge元素半导体的主要散射机构为？
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在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ） A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 电子间散射
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中国大学MOOC: Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：
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电离杂质的散射是半导体中一种主要的散射机构,电离杂质的浓度Ni越大,载流子遭受散射的机会越多;温度越高,载流子遭受散射的机会越少。(<br/>)