若P型半导体表面电子浓度高于其体内平衡多子浓度，则半导体表面处于
A: 积累
B: 耗尽
C: 反型
D: 强反型
A: 积累
B: 耗尽
C: 反型
D: 强反型
举一反三
- 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型