理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频CV特性在强反型区与低频CV特性不同的原因是高频条件下（ ）
A: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
B: 半导体发生了深耗尽
C: 以上均不是
D: 半导体表面附近的空穴不能产生
A: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
B: 半导体发生了深耗尽
C: 以上均不是
D: 半导体表面附近的空穴不能产生
举一反三
- 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ A: 半导体表面附近的空穴不能产生 B: 半导体表面附近的电子不能产生 C: 半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化 D: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化 E: 半导体发生了深耗尽 F: 以上均不是
- 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
- 对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在( )条件下半导体表面达到强反型。 A: 高频 B: 低频 C: [img=87x22]1802f7f8d3b1659.png[/img] D: [img=129x22]1802f7f8dc20c60.png[/img]
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体