理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
A: 半导体表面附近的空穴不能产生
B: 半导体表面附近的电子不能产生
C: 半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
D: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
E: 半导体发生了深耗尽
F: 以上均不是
A: 半导体表面附近的空穴不能产生
B: 半导体表面附近的电子不能产生
C: 半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
D: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
E: 半导体发生了深耗尽
F: 以上均不是
举一反三
- 理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频CV特性在强反型区与低频CV特性不同的原因是高频条件下（ ） A: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化 B: 半导体发生了深耗尽 C: 以上均不是 D: 半导体表面附近的空穴不能产生
- 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
- 空穴为少子的半导体称为( ) A: P型半导体 B: N型半导体 C: 纯净半导体 D: 金属导体
- P型半导体中产生空穴的原因是在（）中加入了铝硼镍等元素。 A: 导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 介子
- 在纯净的硅晶体中半导体内掺入磷元素，就形成 。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.I型半导体 D.导体 A: P型半导体 B: N型半导体 C: 导体