中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
举一反三
- 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ A: 半导体表面附近的空穴不能产生 B: 半导体表面附近的电子不能产生 C: 半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化 D: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化 E: 半导体发生了深耗尽 F: 以上均不是
- 理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频CV特性在强反型区与低频CV特性不同的原因是高频条件下（ ） A: 半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化 B: 半导体发生了深耗尽 C: 以上均不是 D: 半导体表面附近的空穴不能产生
- 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。
- 中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 在一定信号频率下，对MIS结构进行光照可引起C-V特性从高频型向低频型过渡。