下列哪个不属于非辐射跃迁过程():
A: 多声子跃迁复合
B: 深能级态复合
C: 等电子陷阱复合
D: 表面复合
A: 多声子跃迁复合
B: 深能级态复合
C: 等电子陷阱复合
D: 表面复合
举一反三
- 半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐射复合又包括()。 A: 自发辐射复合 B: 受激辐射复合 C: 直接辐射复合 D: 间接辐射复合
- 如果电子和空穴复合时,把多余的能量传递给第三个载流子,使它在导带或价带内部激发,然后,第三个载流子在能带的连续态中做多声子发射跃迁,来耗散多余的能量而回到初始状态,这种非辐射复合的过程称为()。 A: 辐射复合 B: 非辐射复合 C: 俄歇复合
- 深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。(<br/>)
- 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的复合称为： A: 直接复合 B: 间接复合 C: 俄歇复合 D: 表面复合
- 非平衡载流子的复合机制,按复合过程发生的位置分类,分为() A: 直接复合 B: 体内复合 C: 表面复合 D: 辐射复合