深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。(
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举一反三
- 关于半导体的复合，下列说法不正确的是 A: 复合是产生的逆过程 B: 复合中心往往是由深能级杂质和缺陷充当 C: 哪怕是完全无缺陷的半导体，其表面复合率也高于体内 D: 复合越剧烈，少子寿命越短
- 半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐射复合又包括()。 A: 自发辐射复合 B: 受激辐射复合 C: 直接辐射复合 D: 间接辐射复合
- 非平衡载流子的复合机制,按复合过程发生的位置分类,分为() A: 直接复合 B: 体内复合 C: 表面复合 D: 辐射复合
- 下列哪个不属于非辐射跃迁过程(): A: 多声子跃迁复合 B: 深能级态复合 C: 等电子陷阱复合 D: 表面复合
- 中国大学MOOC: 对于半导体的复合有影响的杂质主要是深能级杂质还是浅能级杂质