电子跃迁可分为辐射跃迁和非辐射跃迁
电子跃迁可分为辐射跃迁和非辐射跃迁
关于自发辐射和受激辐射，下列表述哪一个是正确的？（） A: 相同两能级之间跃迁，自发辐射跃迁几率为零，受激辐射跃迁几率不一定为零； B: 自发辐射是随机的，其跃迁速率与受激辐射跃迁速率无关； C: 爱因斯坦关系式表明受激辐射跃迁速率与自发辐射跃迁速度率成正比； D: 自发辐射光相干性好。
关于自发辐射和受激辐射，下列表述哪一个是正确的？（） A: 相同两能级之间跃迁，自发辐射跃迁几率为零，受激辐射跃迁几率不一定为零； B: 自发辐射是随机的，其跃迁速率与受激辐射跃迁速率无关； C: 爱因斯坦关系式表明受激辐射跃迁速率与自发辐射跃迁速度率成正比； D: 自发辐射光相干性好。
关于辐射跃迁,以下说法正确的是? A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程 B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁 C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势 D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
关于辐射跃迁,以下说法正确的是? A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程 B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁 C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势 D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
电子跃迁过程中,当能级间距很小时,电子跃迁通过辐射跃迁发射声子,此时不发光。
电子跃迁过程中,当能级间距很小时,电子跃迁通过辐射跃迁发射声子,此时不发光。
下列哪个物理量只与原子的性质有关（）？ A: 受激辐射跃迁几率 B: 自发跃迁几率 C: 受激吸收跃迁几率
下列哪个物理量只与原子的性质有关（）？ A: 受激辐射跃迁几率 B: 自发跃迁几率 C: 受激吸收跃迁几率
连续X射线谱的产生是由于 A: 韧致辐射 B: 靶原子外层电子跃迁辐射 C: 靶原子内层电子跃迁辐射 D: 黑体辐射
连续X射线谱的产生是由于 A: 韧致辐射 B: 靶原子外层电子跃迁辐射 C: 靶原子内层电子跃迁辐射 D: 黑体辐射
下列跃迁方式属于辐射跃迁的有( )。 A: 振动弛豫 B: 内转换 C: 体系间跨越 D: 荧光发射
下列跃迁方式属于辐射跃迁的有( )。 A: 振动弛豫 B: 内转换 C: 体系间跨越 D: 荧光发射
关于自发辐射和受激辐射，下面说法正确的是 A: 自发辐射跃迁几率与受激辐射的跃迁几率相等 B: 如果受激辐射能发生，则自发辐射不能发生 C: 如果自发辐射不能发生，则受激辐射也不能发生 D: 受激辐射和自发辐射是没有关系的、两个相互独立的发光过程
关于自发辐射和受激辐射，下面说法正确的是 A: 自发辐射跃迁几率与受激辐射的跃迁几率相等 B: 如果受激辐射能发生，则自发辐射不能发生 C: 如果自发辐射不能发生，则受激辐射也不能发生 D: 受激辐射和自发辐射是没有关系的、两个相互独立的发光过程
关于受激辐射跃迁，不正确的说法是： A: 受激辐射跃迁只在粒子数反转条件下发生 B: 受激辐射概念是爱因斯坦首先提出来的 C: 受激辐射跃迁产生的光子具有相同的状态 D: 激光就是通过受激辐射过程产生的
关于受激辐射跃迁，不正确的说法是： A: 受激辐射跃迁只在粒子数反转条件下发生 B: 受激辐射概念是爱因斯坦首先提出来的 C: 受激辐射跃迁产生的光子具有相同的状态 D: 激光就是通过受激辐射过程产生的
光热效应为 （空格中填“辐射”或“非辐射”）跃迁。
光热效应为 （空格中填“辐射”或“非辐射”）跃迁。