电子跃迁可分为辐射跃迁和非辐射跃迁
举一反三
- 关于辐射跃迁,以下说法正确的是? A: 半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程 B: 辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁 C: 作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势 D: 辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
- 电子跃迁过程中,当能级间距很小时,电子跃迁通过辐射跃迁发射声子,此时不发光。
- 关于自发辐射和受激辐射，下列表述哪一个是正确的？（） A: 相同两能级之间跃迁，自发辐射跃迁几率为零，受激辐射跃迁几率不一定为零； B: 自发辐射是随机的，其跃迁速率与受激辐射跃迁速率无关； C: 爱因斯坦关系式表明受激辐射跃迁速率与自发辐射跃迁速度率成正比； D: 自发辐射光相干性好。
- 连续X射线谱的产生是由于 A: 韧致辐射 B: 靶原子外层电子跃迁辐射 C: 靶原子内层电子跃迁辐射 D: 黑体辐射
- 光热效应为 （空格中填“辐射”或“非辐射”）跃迁。