实际MIS结构中,需要考虑到界面态的影响,此时的低频CV曲线可能会发生以下( )的现象.jj
A: 积累区总电容变大
B: 平带电压改变
C: 耗尽区电容变大
D: 弱反型区电容变小
A: 积累区总电容变大
B: 平带电压改变
C: 耗尽区电容变大
D: 弱反型区电容变小
举一反三
- 关于理想MIS电容的高频CV曲线在强反型区描述正确的是( ).jj A: 电容C可以近似为常数 B: 严格考虑下电容C随外加栅压增加而些许持续减小 C: 此时半导体空间电荷层的电容主要由该层边缘处耗尽区的充放电实现 D: 此时反型载流子的涨落已经跟不上测试信号的变化了
- MIS结构中,以下( )状态对应的半导体空间电荷层为电中性态。jj A: 积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- 当输电线路采用分裂导线时，与普通导线相比，输电线路单位长度的电抗、电容值的变化为（）。 A: 电抗变大，电容变小 B: 电抗变大，电容变大 C: 电抗变小，电容变小 D: 电抗变小，电容变大
- 高频时的MIS电容值与低频时的MOS电容值在( )时明显不同.zz A: 反型 B: 耗尽 C: 堆积 D: 平带
- 低频MIS的C-V曲线，电容最低点出现在五种状态中的耗尽状态。