MIS结构中,以下( )状态对应的半导体空间电荷层为电中性态。jj
A: 积累
B: 平带
C: 耗尽
D: 反型
A: 积累
B: 平带
C: 耗尽
D: 反型
举一反三
- MIS结构的半导体表面( ) 时，表面近似为本征表面。 A: 多子积累 B: 平带 C: 耗尽 D: 反型
- 以N-Si为衬底的理想MOS结构，在外电压>0时，半导体表面处于 A: 积累 B: 耗尽 C: 反型 D: 平带
- 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
- 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型