关于理想MIS电容的高频CV曲线在强反型区描述正确的是( ).jj
A: 电容C可以近似为常数
B: 严格考虑下电容C随外加栅压增加而些许持续减小
C: 此时半导体空间电荷层的电容主要由该层边缘处耗尽区的充放电实现
D: 此时反型载流子的涨落已经跟不上测试信号的变化了
A: 电容C可以近似为常数
B: 严格考虑下电容C随外加栅压增加而些许持续减小
C: 此时半导体空间电荷层的电容主要由该层边缘处耗尽区的充放电实现
D: 此时反型载流子的涨落已经跟不上测试信号的变化了
