对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？
A: 少子反型
B: 多子积累
C: 多子耗尽
D: 本征状态
A: 少子反型
B: 多子积累
C: 多子耗尽
D: 本征状态
举一反三
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型